عنوان پایان‌نامه
تحلیل تمام موج اثرات تفرقی در فرایند لیتوگرافی
- رشته تحصیلی
- مهندسی برق-مخابرات-میدان
- مقطع تحصیلی
- کارشناسی ارشد
- محل دفاع
- کتابخانه دانشکده برق و کامپیوتر شماره ثبت: E2041;کتابخانه مرکزی -تالار اطلاع رسانی شماره ثبت: 53140
- تاریخ دفاع
- ۰۱ اسفند ۱۳۹۰
- دانشجو
- محمد حق طلب
- استاد راهنما
- رضا فرجی دانا
- چکیده
- در این تحقیق به تحلیل و بهینه سازی اثرات تفرقی در فرایند لیتوگرافی مبتنی بر روشی میدانی، با سرعت و دقت بالا پرداخته شد. روش معادلات انتگرالی برای محاسبه میدان تفرقی یک مسک دلخواه مورد استفاده قرار می گیرد. در این فرمول بندی میدان های الکترومغناطیس بر حسب توابع گرین تصاویر مختلط بیان می شوند و روش ممان برای حل معادلات انتگرالی حاصل به کار می رود. به این ترتیب روشی سریع و دقیق برای مدل سازی مسک فراهم می گردد. دقت مدل پیشنهادی با انتگرال گیری عددی ارزیابی شده، نتایج کاربرد آن در یک مسک دلخواه با نرم افزار تجاری COMSOL مقایسه می گردد. ترکیب این مدل با مدل برگرفته از روش انتشار پرتو برای توصیف عملکرد سیستم تصویرگری به کار می رود. با استفاده از این مدل ساده و فشرده قادر به تحلیل دقیق و سریع اثرات تفرقی در فرایند لیتوگرافی هستیم که امکان استفاده از آن را در فرایند طراحی و بهینه سازی مسک با کمک الگوریتمی چون" تبرید شبیه سازی شده" فراهم می کند. نمونه هایی از کاربرد روش مذکور ارائه می شود.
- Abstract
- In this thesis the analysis and optimization of diffraction effects in the nanolithography process with a fast and accurate field- theoretical approach are investigated. The scattered field through an arbitrary mask pattern is detrmined by using an electric field integral equation(EFIE) formulation. In this formulation the electric field is represented in terms of complex images Green's functions. The method of moments(MoM) is then employed to solve the resulted integral equation.in this way an accurate and composed method is vindicated through comparison with direct numerical integration results.moreover, the comparison is made between the results obtained by the proposed method and those obtained by the full-wave finite element(FEM) method( COMSOL). The ray tracing method is combined with the proposed method to describe the imaging process in the lithography. The simulated annealing(SA) algorithm is then employed to solve the inverse problem , i.e. to design an optimized mask pattern to improve the resolution. Some applications of the proposed method are presented
