عنوان پایان‌نامه
ساختارهای سه بعدی نیمه معلق سلیکانی برای ساخت سنسورها و محرک مینیاتوری
- رشته تحصیلی
- مهندسی برق-الکترونیک- تکنولوژی نیمه هادی
- مقطع تحصیلی
- کارشناسی ارشد
- محل دفاع
- کتابخانه مرکزی پردیس 2 فنی شماره ثبت: E 2276;کتابخانه مرکزی -تالار اطلاع رسانی شماره ثبت: 58890
- تاریخ دفاع
- ۱۳ شهریور ۱۳۹۲
- دانشجو
- حمید مزرعتی
- استاد راهنما
- سیدشمس ا لدین مهاجرزاده
- چکیده
- هدف اصلی در این رساله ریزماشین‌کاری سیلیکون و خصوصاً معرفی فرایند نوینی برای ایجاد ساختارهای سه بعدی نیمه معلّق بر روی سیلیکون می‌باشد. ریزساختارهای سیلیکونی امروزه کاربردهای متنوعی در صنعت نانوالکترونیک دارند و در ساخت حسگرها و محرک‌های مبتنی بر سیستم‌های میکروالکترومکانیکی، ترانزیستورها به کار می روند. تکنیکی که در این پروژه برای ریزماشین کاری مورد استفاده قرار می‌گیرد، تکنیک نوینی برای زدایش عمودی سیلیکون است که در آن از ترکیب گازهای مناسب در حضور پلاسمای فرکانس رادیویی استفاده می‌شود. در این راستا ساختارهایی با نسبت ابعاد 50 الی 100 و با ابعادی در مقیاس چند میکرومتر ایجادشده‌اند. در این رساله بر روی ارائه ی روش نوینی برای ایجاد ساختارهای معلّق سه بعدی مبتنی بر سیلیکون کارشده که می‌تواند جایگزینی برای استفاده از ویفرهای SOI برای ایجاد ساختارهای معلّق گردد. همچنین روش‌هایی برای بهبود پروسه‌ی مذکور بسته به کاربرد و نوع ساختار افزاره در انتهای رساله ارائه گردیده است.
- Abstract
- This thesis discusses silicon micro-machining with main focus on introducing a novel approach for fabricating silicon-based partially suspended 3D structures. Silicon microstructures have so many applications in nano-electronics industry these days; they are widely used in fabricating micro electromechanical sensors and actuators. The technic used for micro-machining in this project is a novel technic for vertical etching of silicon using reactions of suitable gases in presence of RF plasma. In this regard, structures with aspect ratio of 50 to 100 and in micrometer scales were fabricated. The method introduced in this thesis could be a suitable replacement for the use of SOI in fabricating suspended structures. Some methods for improving the process, depending on the application and type of the device, is also provided at the final chapters.
