عنوان پایان‌نامه
طراحی مدارات ولتاژ پایین توان پایین برای مدولاتورهای سیگما - دلتا در تکنولوژیهای نانومتری
- رشته تحصیلی
- مهندسی برق-الکترونیک-مدار وسیستم
- مقطع تحصیلی
- کارشناسی ارشد
- محل دفاع
- کتابخانه دانشکده برق و کامپیوتر شماره ثبت: E1353;کتابخانه مرکزی پردیس 2 فنی شماره ثبت: E 1353
- تاریخ دفاع
- ۰۲ دی ۱۳۸۶
- دانشجو
- مینا شاه محمدی
- استاد راهنما
- امید شعاعی
- چکیده
- کاهش سایز تکنولوژی CMOS مشکلات زیادی برای طراحی مدارهای آنالوگ به همراه دارد. به عنوان واسطه‌ای بین دنیای آنالوگ و دیجیتال مبدل‌های داده آنالوگ به دیجیتال نیز، به علت مزایایی که برای مدارهای دیجیتال دارد، به سمت تکنولوژیهای نانومتری پیش می‌روند. از سوی دیگر امروزه وسایل الکترونیک قابل حمل بازار وسیعی یافته‌اند. این امر اهمیت طراحی مدارهای ولتاژ پایین توان پایین را نشان می‌دهد. در این پروژه به طراحی یک مدولاتور سیگما – دلتا ولتاژ پایین توان پایین در تکنولوژی 90nm پرداخته‌ایم. مشکلات طراحی هم در سطح سیستم و هم در سطح مدار قابل بررسی هستند. در سطح سیستم ساختار پس‌خورد کامل که مناسب برای طراحی مدولاتور سیگما – دلتا در تکنولوژی نانومتری است، بررسی شده‌است. مشخصه اصلی این ساختار این است که تابع تبدیل سیگنال در آن واحد است و از مشخصه‌های بلوک‌های سازنده مستقل است. سوئینگ سیگنال در داخل حلقه کاهش می‌یابد که مزیت بزرگی در طراحی ولتاژ پایین است. در سطح مدار یک مدولاتور سیگما – دلتا فیدفوروارد کامل مرتبه سوم با SNR معادل dB91 در تکنولوژی 90nm طراحی شده‌است. ولتاژ تغذیه این مدولاتور V9/0 و توان مصرفی آن ?W307 است.
