عنوان پایان‌نامه
ساخت ترانزیستور MOSFET با ساختارهای نانومتری و بررسی تابش اشعه X بر روی آنها
- رشته تحصیلی
- مهندسی برق-الکترونیک-مدار وسیستم
- مقطع تحصیلی
- کارشناسی ارشد
- محل دفاع
- کتابخانه دانشکده برق و کامپیوتر شماره ثبت: E1947;کتابخانه مرکزی -تالار اطلاع رسانی شماره ثبت: 49800
- تاریخ دفاع
- ۱۱ مرداد ۱۳۹۰
- دانشجو
- مرتضی کیالها
- استاد راهنما
- سیدشمس ا لدین مهاجرزاده, شاهین جعفرآبادی آشتیانی
- چکیده
- با توجه به اهمیت ساخت ترانزیستور اثر میدان فلز-اکسید-نیمه¬هادی در این پروژه پس از بررسی اجمالی ترانزیستورهای ماسفت، روش ساخت ترانزیستور nMOS به صورت مفصل توضیح داده و چند ترانزیستور به عنوان نمونه ساخته می¬شود. پس از ساخت ترانزیستور، یکی از مهمترین کارهایی که بایستی صورت گیرد، بررسی کامل رفتار و مشخصات ترانزیستور ساخته شده می¬باشد. برای این منظور، در ابتدا مشخصه جریان-ولتاژ ترانزیستورها به عنوان اصلی¬ترین شاخص عملکرد آنها بررسی می¬شود. در ادامه برای دست¬یابی به درک بهتر از عملکرد ترانزیستور، مشخصه نویز فرکانس پایین آنها استخراج خواهد شد. اطلاعات بدست آمده از این موارد دید صحیحی در رابطه با کیفیت اکسید گیت، میزان نفوذ آلاینده¬ها و کاربردهای متصور برای ترانزیستور ساخته شده، می-دهند. سپس زدایش افقی سیلیکان به عنوان روشی برای دست¬یابی به ساختارهای سیلیکان بر عایق معرفی می¬گردد. با توجه به پیشرفت فن آوری های نظامی و الکترونیک فضایی و تاثیرات گسترده این پیشرفت¬ها بر فن¬آوری¬های نیمه¬هادی، آگاهی از تاثیرات تابش پرتوهای یونیزه¬کننده بر رفتار ترانزیستورها اجتناب¬ناپذیر است. بنابراین در این پروژه اثر تابش پرتو یونیزه¬کننده X را بر رفتار ترانزیستورهای ساخته شده مورد بررسی قرار می¬دهیم. در انتها، ساخت ترانزیستورهای nMOS جدیدی را با ایجاد ساختارهای نانومتری برروی بستر سیلیکانی معرفی می¬کنیم. پس از بررسی مشخصات جریان-ولتاژ و نویز فرکانس پایین این نوع ترانزیستورها، رفتار آنها را بعد از تابش پرتو X نیز مورد بررسی قرار می¬دهیم.
- Abstract
- Considering the importance of Metal-Oxide-Semiconductor transistors, in this work, after briefly overviewing MOSFETs, we will elaborately describe the fabrication process of nMOS transistors and as an example of this process; we will fabricate a few samples. Then, in order to investigate the characteristics of the fabricated transistors, we will extract their current-voltage characteristics. Next, we will measure the 1/f noise of these fabricated transistors. The results of these extractions will help us have better understanding about oxide-semiconductor interface quality, distribution of dopants, and potential applications for the transistors. In the next step, as a useful way for achieving silicon on insulator structures, we will introduce a new method of lateral micromachining of silicon. Development of military and space electronics technology has traditionally been heavily influenced by the commercial semiconductor industry. As a result, exploring the radiation effect on the behavior of MOS transistors is inevitable. Therefore, in this project, the effect of X-ray radiation on the fabricated nMOS transistors is investigated. At the end of this project, fabrication of novel nMOS transistor with the use of nanostructured features on their substrate will be discussed and after fully characterizing these new transistors using current-voltage characteristic and 1/f noise measurement, the effect of X-ray radiation on their behavior will be investigated.
